Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2017, том 87, выпуск 8, страницы 1268–1270
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2017.08.44740.2116 (Mi jtf6167) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Краткие сообщения

Спин-туннельные магниторезистивные элементы на основе многослойных наноструктур

В. В. Амеличевa, П. А. Беляковa, Д. В. Васильевa, Д. А. Жуковa, Ю. В. Казаковa, Д. В. Костюкa, Е. П. Орловa, С. И. Касаткинb, А. И. Крикуновc

a НПК "Технологический Центр" МИЭТ, Зеленоград, Россия
b Институт проблем управления им. В. А. Трапезникова РАН, г. Москва
c ООО НПК "Фотрон-Авто", г. Москва
PDF полного текста (105 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2017.08.44740.2116
Аннотация: Представлены результаты исследования характеристик спин-туннельных магниторезистивных (СТМР) элементов, сформированных на основе многослойных наноструктур масочным методом. Экспериментально получены параметры магнитного отжига СТМР элементов, которые показывают возможности повышения величины магниторезистивного эффекта в 4–5 раз и более. Исследованы тестовые образцы СТМР элементов, обладающие величиной гигантского магниторезистивного эффекта до 50% и сопротивлением 30–35 k$\Omega$, в отсутствие магнитного поля.
Поступила в редакцию: 29.11.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2017, Volume 62, Issue 8, Pages 1281–1283
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784217080023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Амеличев, П. А. Беляков, Д. В. Васильев, Д. А. Жуков, Ю. В. Казаков, Д. В. Костюк, Е. П. Орлов, С. И. Касаткин, А. И. Крикунов, “Спин-туннельные магниторезистивные элементы на основе многослойных наноструктур”, ЖТФ, 87:8 (2017), 1268–1270; Tech. Phys., 62:8 (2017), 1281–1283
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AmeBelVas17}
\by В.~В.~Амеличев, П.~А.~Беляков, Д.~В.~Васильев, Д.~А.~Жуков, Ю.~В.~Казаков, Д.~В.~Костюк, Е.~П.~Орлов, С.~И.~Касаткин, А.~И.~Крикунов
\paper Спин-туннельные магниторезистивные элементы на основе многослойных наноструктур
\jour ЖТФ
\yr 2017
\vol 87
\issue 8
\pages 1268--1270
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6167}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2017.08.44740.2116}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29825044}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2017
\vol 62
\issue 8
\pages 1281--1283
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784217080023}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6167
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v87/i8/p1268
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024