|
Электрофизика, электронные и ионные пучки, физика ускорителей
Моделирование динамики резистивной шланговой неустойчивости релятивистского электронного пучка, распространяющегося в омическом плазменном канале произвольной проводимости
Е. К. Колесников, А. С. Мануйлов, В. С. Петров Санкт-Петербургский государственный университет
Аннотация:
Исследована пространственная динамика резистивной шланговой неустойчивости релятивистского электронного пучка в случаях, когда время зарядовой нейтрализации много больше, порядка и много меньше времени токовой компенсации. Получено, что наибольшим пространственным инкрементом нарастания указанная неустойчивость обладает в случае, когда время зарядовой нейтрализации порядка скинового времени.
Поступила в редакцию: 25.01.2017 Исправленный вариант: 20.03.2017
Образец цитирования:
Е. К. Колесников, А. С. Мануйлов, В. С. Петров, “Моделирование динамики резистивной шланговой неустойчивости релятивистского электронного пучка, распространяющегося в омическом плазменном канале произвольной проводимости”, ЖТФ, 87:11 (2017), 1718–1721; Tech. Phys., 62:11 (2017), 1720–1723
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6084 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v87/i11/p1718
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 8 |
|