|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Физическое материаловедение
Создание наноструктурированной поверхности кремния методом селективного химического травления
A. Б. Сагындыковa, Ж. К. Калкозоваb, Г. Ш. Яр-Мухамедоваa, Х. А. Абдуллинb a Казахский национальный университет им. аль-Фараби, Алматы, Казахстан
b Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа, Казну им. аль-Фараби, Алматы, Казахстан
Аннотация:
Методом селективного химического травления, инициированного металлическими нанокластерами, в двухэтапном процессе получены наноструктурированные поверхности кремниевых пластин с низким коэффициентом отражения. На кремниевых подложках, покрытых нанокластерами серебра, эффект усиленного поверхностью рамановского рассеяния наблюдался до концентраций радомина $\sim$10$^{-12}$ М. Зависимость глубины наноструктурированного слоя от условий проведения двухэтапного процесса травления, в частности от длительности травления, является весьма слабой при определенных технологических параметрах. При прочих равных условиях проведения процесса травления в кремнии $p$-типа проводимости скорость образования текстурированного слоя в два раза выше, чем в кремнии $n$-типа.
Поступила в редакцию: 20.02.2017
Образец цитирования:
A. Б. Сагындыков, Ж. К. Калкозова, Г. Ш. Яр-Мухамедова, Х. А. Абдуллин, “Создание наноструктурированной поверхности кремния методом селективного химического травления”, ЖТФ, 87:11 (2017), 1673–1676; Tech. Phys., 62:11 (2019), 1675–1678
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6075 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v87/i11/p1673
|
|