Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1987, том 57, выпуск 3, страницы 440–445 (Mi jtf605)  
Теоретическая и математическая физика

Асимптотическая теория неизотермического столкновительного экранирующего слоя

И. Б. Чекмарев, О. М. Чекмарева

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
PDF полного текста (488 kB)
Аннотация: Развита асимптотическая теория столкновительного экранирующего слоя в двухтемпературном слабоионизованном газе, контактирующим с идеально поглощающим электродом. Приведены результаты численного интегрирования задачи для случая электрода сферической формы.
Поступила в редакцию: 19.05.1986
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 53 : 51
Образец цитирования: И. Б. Чекмарев, О. М. Чекмарева, “Асимптотическая теория неизотермического столкновительного экранирующего слоя”, ЖТФ, 57:3 (1987), 440–445
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CheChe87}
\by И.~Б.~Чекмарев, О.~М.~Чекмарева
\paper Асимптотическая теория неизотермического столкновительного
экранирующего слоя
\jour ЖТФ
\yr 1987
\vol 57
\issue 3
\pages 440--445
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf605}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf605
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v57/i3/p440
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024