Фототрансферная термолюминесценция дозиметрических кристаллов $\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$, облученных импульсным электронным пучком

Исследована термолюминесценция (ТЛ) глубоких ловушек анион-дефектных монокристаллов оксида алюминия, облученных высокодозным (более 1 kGy) импульсным электронным пучком (130 keV). Классифицированы типы глубоких ловушек в исследуемом материале в зависимости от температурного диапазона высвечивания ТЛ. Показано, что фототрансферная термолюминесценция (ФТТЛ) в температурном диапазоне основного ТЛ пика возникает за счет оптического переселения зарядов с глубоких ловушек, опустошаемых при 400–470 и 470–600$^\circ$C. Обнаружен аномальный эффект роста ФТТЛ при ступенчатом отжиге в диапазоне 350–400$^\circ$C. Показано, что этот эффект может быть обусловлен конкурирующими процессами переноса заряда с участием глубоких ловушек, соответствующих пику ТЛ при 390$^\circ$C. Установлена принципиальная возможность применения метода ФТТЛ для дозиметрии высокодозных импульсных электронных пучков в диапазоне доз 1–50 kGy.