Влияние наночастиц, тонких пленок Ag, Au на генерацию носителей заряда в структурах с множественными квантовыми ямами на основе InGaN/GaN и в кристаллических пленках ZnO

Показано, что влияние наночастиц и тонких пленок Ag, Au на генерацию носителей заряда в структурах с множественными квантовыми множественными ямами (MQW) на основе InGaN/GaN и в кристаллических пленках ZnO определяется гетерогенностью морфологии поверхности полупроводниковых материалов. В структурах с MQW на основе InGaN/GaN с меньшими неоднородностями морфологии поверхности по сравнению с пленками ZnO при нанесении наночастиц с размерами 10 $<d<$ 20 nm наблюдается существенное увеличение интенсивности излучения вследствие реализации плазмонного резонанса с участием локализованных плазмонов. Нанесение пленок Ag, Au на поверхность структур приводит к существенному уменьшению интенсивности излучения. В кристаллических пленках ZnO, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, вследствие большей гетерогенности морфологии поверхности не наблюдается существенного увеличения интенсивности излучения при нанесении наночастиц Ag, Au в коротковолновой области спектра.