|
Твердотельная электроника
Создание совмещенной технологии спин-вентильных магниторезистивных элементов и микромагнитов
В. В. Амеличевab, П. А. Беляковab, Д. В. Костюкab, Д. В. Васильевab, Е. П. Орловab, Ю. В. Казаковb, С. И. Касаткинc, А. И. Крикуновd a ООО Научно-производственное предприятие "Технология", Зеленоград, Москва, Россия
b НПК "Технологический Центр" МИЭТ, Зеленоград, Москва, Россия
c Институт проблем управления им. В. А. Трапезникова РАН, г. Москва
d ООО НПК "Фотрон-Авто", г. Москва
Аннотация:
Представлены результаты исследования технологии создания магниторезистивных (МР) элементов на основе многослойных спин-вентильных МР (СВМР) Ta–FeNiCo–CoFe–Cu–CoFe–FeNiCo–FeMn–Ta-наноструктур и CoNi-микромагнитов для построения цифровых гальванических развязок и преобразователей магнитного поля. Представлены результаты экспериментальных исследований тестовых элементов на основе многослойных СВМР наноструктур с МР эффектом 7–8% и пленки из магнитотвердого материала с коэрцитивной силой до 95 Oe, сформированных на одном кристалле.
Поступила в редакцию: 21.09.2017
Образец цитирования:
В. В. Амеличев, П. А. Беляков, Д. В. Костюк, Д. В. Васильев, Е. П. Орлов, Ю. В. Казаков, С. И. Касаткин, А. И. Крикунов, “Создание совмещенной технологии спин-вентильных магниторезистивных элементов и микромагнитов”, ЖТФ, 88:6 (2018), 874–876; Tech. Phys., 63:6 (2018), 848–850
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5895 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i6/p874
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 9 |
|