О возможности разращивания алмазов в среде углеводородов

Исследована возможность увеличения размеров кристаллов алмаза от 25 $\mu$m путем проведения их отжига при температуре 1450 K в среде углеводородов. Исходные кристаллы алмаза вводятся в слой поливинилацетата на поверхности монокристалла кремния и подвергаются термической обработке в среде метана низкого давления при наличии внешнего электрического поля напряженностью до 0.04 V/$\mu$m. В этих условиях электрически заряженные ионы продуктов диссоциации метана ускоряются и приобретают кинетическую энергию, сопоставимую с достаточной для создания $sp^3$-гибридных связей, что может приводить к увеличению размеров исходных затравочных кристаллитов. Полученные пластины композита характерной толщиной до 1.2 mm, содержащие консолидированные кристаллы алмаза в матрице углерода, могут использоваться в качестве теплопроводящих и электроизолирующих прокладок в устройствах охлаждения изделий электронной техники.