|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Физические приборы и методы эксперимента
Применение ИК микроскопии для прецизионного контроля диффузионных профилей распределения примесей железа и хрома в халькогенидах цинка
Т. В. Котерева, В. Б. Иконников, Е. М. Гаврищук, А. М. Потапов, Д. В. Савин Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Предложена методика для прецизионного, экспрессного и неразрушающего контроля поведения допанта в лазерных средах на основе халькогенидов цинка. Полученные результаты показывают возможность определения методом ИК спектроскопии в сочетании с ИК микроскопом концентрационных профилей допанта в виде ионов Fe$^{2+}$ и Cr$^{2+}$ в халькогенидах цинка в интервале концентраций от 5 $\cdot$ 10$^{17}$ до 2.5 $\cdot$ 10$^{20}$ at/сm$^{3}$ с пространственным разрешением до нескольких микрометров. Определены диффузионные профили при солегировании халькогенидов цинка несколькими примесями одновременно.
Поступила в редакцию: 22.11.2017
Образец цитирования:
Т. В. Котерева, В. Б. Иконников, Е. М. Гаврищук, А. М. Потапов, Д. В. Савин, “Применение ИК микроскопии для прецизионного контроля диффузионных профилей распределения примесей железа и хрома в халькогенидах цинка”, ЖТФ, 88:7 (2018), 1110–1115; Tech. Phys., 63:7 (2018), 1079–1083
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5882 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i7/p1110
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 48 | PDF полного текста: | 15 |
|