|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Атомная и молекулярная физика
Электронные переходы при захвате электрона ионом He$^{2+}$ у атома аргона
А. А. Басалаев, Г. Н. Огурцов, М. Н. Панов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Измерены абсолютные величины полного сечения одноэлектронного захвата ионами Не$^{2+}$ в диапазоне их кинетических энергий 2–30 keV у атомов Ar. Определены абсолютные величины дифференциальных сечений рассеяния ионов Не$^{+}$, образующиеся в процессах одноэлектронного захвата и захвата электрона с ионизацией при энергии 2.2, 5.4 и 30 keV. Методом столкновительной спектроскопии на основе анализа изменений кинетической энергии Не$^{+}$ после взаимодействия определены электронные состояния образующихся ионов. Измерены дважды дифференциальные по кинетической энергии и углу рассеяния сечения образования свободных электронов. На основе расчета электронных термов системы (НеАr)$^{2+}$ исследованы каналы образования свободных электронов – прямой ионизации и захвата электрона с ионизацией. Вычисленное сечение процесса захвата с ионизацией согласуется с сечением, измеренным методом столкновительной спектроскопии.
Поступила в редакцию: 12.12.2017 Исправленный вариант: 15.01.2018
Образец цитирования:
А. А. Басалаев, Г. Н. Огурцов, М. Н. Панов, “Электронные переходы при захвате электрона ионом He$^{2+}$ у атома аргона”, ЖТФ, 88:7 (2018), 977–982; Tech. Phys., 63:7 (2018), 947–952
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5855 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i7/p977
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 46 | PDF полного текста: | 15 |
|