Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2018, том 88, выпуск 7, страницы 977–982
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.07.46162.2594
(Mi jtf5855)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Атомная и молекулярная физика

Электронные переходы при захвате электрона ионом He$^{2+}$ у атома аргона

А. А. Басалаев, Г. Н. Огурцов, М. Н. Панов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Измерены абсолютные величины полного сечения одноэлектронного захвата ионами Не$^{2+}$ в диапазоне их кинетических энергий 2–30 keV у атомов Ar. Определены абсолютные величины дифференциальных сечений рассеяния ионов Не$^{+}$, образующиеся в процессах одноэлектронного захвата и захвата электрона с ионизацией при энергии 2.2, 5.4 и 30 keV. Методом столкновительной спектроскопии на основе анализа изменений кинетической энергии Не$^{+}$ после взаимодействия определены электронные состояния образующихся ионов. Измерены дважды дифференциальные по кинетической энергии и углу рассеяния сечения образования свободных электронов. На основе расчета электронных термов системы (НеАr)$^{2+}$ исследованы каналы образования свободных электронов – прямой ионизации и захвата электрона с ионизацией. Вычисленное сечение процесса захвата с ионизацией согласуется с сечением, измеренным методом столкновительной спектроскопии.
Поступила в редакцию: 12.12.2017
Исправленный вариант: 15.01.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2018, Volume 63, Issue 7, Pages 947–952
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378421807006X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Басалаев, Г. Н. Огурцов, М. Н. Панов, “Электронные переходы при захвате электрона ионом He$^{2+}$ у атома аргона”, ЖТФ, 88:7 (2018), 977–982; Tech. Phys., 63:7 (2018), 947–952
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BasOguPan18}
\by А.~А.~Басалаев, Г.~Н.~Огурцов, М.~Н.~Панов
\paper Электронные переходы при захвате электрона ионом He$^{2+}$ у атома аргона
\jour ЖТФ
\yr 2018
\vol 88
\issue 7
\pages 977--982
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5855}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2018.07.46162.2594}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269819}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2018
\vol 63
\issue 7
\pages 947--952
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378421807006X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5855
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i7/p977
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:46
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024