Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2018, том 88, выпуск 8, страницы 1273–1278
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.08.46320.2351 (Mi jtf5852) 		 
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Физические приборы и методы эксперимента

Методика определения удельного сопротивления полупроводниковых материалов методом атомно-силовой микроскопии

В. А. Смирновa, Р. В. Томиновa, Н. И. Алябьеваb, М. В. Ильинаa, В. В. Поляковаa, Ал. В. Быковa, О. А. Агеевa

a Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия
b University of Paris-Sud, Orsay cedex, France
PDF полного текста (1098 kB) Список цитирования (11)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.08.46320.2351
Аннотация: Показаны результаты теоретических и экспериментальных исследований поверхности подложек кремния методом атомно-силовой микроскопии в режиме отображения сопротивления растекания, а также представлены разработки методики определения удельного сопротивления полупроводниковых материалов на основе этих исследований. Показано наличие порогового значения силы прижима зонда к поверхности подложки, при превышении которого удельное сопротивление кремния определяется достоверно. Исследовано влияние окружающей среды на значения токов в системе зонд–подложка. Показано, что для получения достоверных результатов исследования электрических параметров полупроводниковых материалов методом атомно-силовой микроскопии в режиме отображения сопротивления растекания необходимо проводить в условиях сверхвысокого вакуума.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-29-14023 офи_м
16-32-0069 мол_а
Южный федеральный университет ВнГр-07/2017-02
ВнГр-07/2017-26
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проекты № 16-29-14023 офи_м, 16-32-0069 мол_а) и Южного федерального университета (проекты № ВнГр-07/2017-02, № ВнГр-07/2017-26).
Поступила в редакцию: 24.05.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2018, Volume 63, Issue 8, Pages 1236–1241
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784218080182
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Смирнов, Р. В. Томинов, Н. И. Алябьева, М. В. Ильина, В. В. Полякова, Ал. В. Быков, О. А. Агеев, “Методика определения удельного сопротивления полупроводниковых материалов методом атомно-силовой микроскопии”, ЖТФ, 88:8 (2018), 1273–1278; Tech. Phys., 63:8 (2018), 1236–1241
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SmiTomAly18}
\by В.~А.~Смирнов, Р.~В.~Томинов, Н.~И.~Алябьева, М.~В.~Ильина, В.~В.~Полякова, Ал.~В.~Быков, О.~А.~Агеев
\paper Методика определения удельного сопротивления полупроводниковых материалов методом атомно-силовой микроскопии
\jour ЖТФ
\yr 2018
\vol 88
\issue 8
\pages 1273--1278
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5852}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2018.08.46320.2351}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269901}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2018
\vol 63
\issue 8
\pages 1236--1241
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784218080182}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5852
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i8/p1273
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024