|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физика низкоразмерных структур
Исследование свойств наноструктур ZnSe/Al$_{2}$O$_{3}$, полученных методом высокочастотного магнетронного напыления
М. М. Иванов, Р. М. Закирова, В. Ф. Кобзиев, П. Н. Крылов, И. В. Федотова Удмуртский государственный университет, г. Ижевск
Аннотация:
Представлены результаты исследования процесса синтеза наноструктур ZnSе/Al$_{2}$O$_{3}$ по технологии, широко применяемой в производстве интегральных схем. Показано увеличение показателя преломления, размеров областей когерентного рассеяния и уменьшение ширины запрещенной зоны с ростом толщины слоев ZnSe. Для образцов с толщиной прослойки ZnSe 9 $\mathring{\mathrm{A}}$ сделано предположение о наличии соединения ZnSeO$_{3}$ и/или комплексного соединения ZnSe $\cdot$ Al$_{2}$O$_{3}$. Мультислойные наноструктуры с толщиной прослойки селенида цинка больше 9 $\mathring{\mathrm{A}}$ содержат нанокристаллиты ZnSe кубической сингонии.
Поступила в редакцию: 02.10.2017
Образец цитирования:
М. М. Иванов, Р. М. Закирова, В. Ф. Кобзиев, П. Н. Крылов, И. В. Федотова, “Исследование свойств наноструктур ZnSe/Al$_{2}$O$_{3}$, полученных методом высокочастотного магнетронного напыления”, ЖТФ, 88:10 (2018), 1551–1553; Tech. Phys., 63:10 (2018), 1504–1506
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5799 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i10/p1551
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 9 |
|