Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2018, том 88, выпуск 11, страницы 1734–1742
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.11.46638.2586
(Mi jtf5780)
 

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Физическая электроника

Влияние давления аргона и отжига на микрокристаллическую структуру текстурированных пленок Co, осаждаемых магнетронным распылением

А. С. Джумалиевab, Ю. В. Никулинab, Ю. А. Филимоновabc

a Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
c Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А.
Аннотация: Исследовано влияние давления аргона $P$ (0.13 $\le P\le$ 1 Pa) и отжига в вакууме на микроструктуру и текстуру пленок кобальта толщиной $d\approx$ 300 nm, полученных методом магнетронного распыления на подложках SiO$_{2}$/Si. Показано, что пленки, осаждаемые при давлении 0.26 $\le P<$ 1 Pa, характеризуются столбчатой микроструктурой по толщине и смешанной кристаллической фазой hcp-Co(002)/fcc-Co(111). Отжиг приводит к более однородному микроструктурному строению за счет увеличения размеров зерен и улучшает текстуру hcp-Co(002)/fcc-Co(111). Пленки, осаждаемые при 0.13 $\le P<$ 0.18 Pa, имеют смешанную кристаллическую фазу – помимо фаз hcp-Co(002)/fcc-Co(111) и hcp-Со(101) присутствует кристаллическая фаза с гранецентрированной кубической кристаллической решеткой и текстурой fcc-Со(200). Пленки, выращенные при $P\approx$ 0.13 Pa, характеризуются текстурой fcc-Со(200) и неоднородным микроструктурным строением по толщине – на границе с подложкой, в слое толщиной $d_{c}\approx$ 100–130 nm, пленки имеют квазиоднородную микроструктуру, которая на толщинах $d>d_{c}$ переходит в “гранулированную”. Отжиг таких пленок приводит к более однородному микроструктурному строению за счет увеличения размеров зерен, улучшает текстуру fcc-Со(200) и приводит к появлению кристаллической фазы fcc-Со(111)/hcp-Со(002).
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-37-60052
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ грант № 16-37-60052.
Поступила в редакцию: 05.12.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2018, Volume 63, Issue 11, Pages 1678–1686
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784218110099
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Джумалиев, Ю. В. Никулин, Ю. А. Филимонов, “Влияние давления аргона и отжига на микрокристаллическую структуру текстурированных пленок Co, осаждаемых магнетронным распылением”, ЖТФ, 88:11 (2018), 1734–1742; Tech. Phys., 63:11 (2018), 1678–1686
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DzhNikFil18}
\by А.~С.~Джумалиев, Ю.~В.~Никулин, Ю.~А.~Филимонов
\paper Влияние давления аргона и отжига на микрокристаллическую структуру текстурированных пленок Co, осаждаемых магнетронным распылением
\jour ЖТФ
\yr 2018
\vol 88
\issue 11
\pages 1734--1742
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5780}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2018.11.46638.2586}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36904550}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2018
\vol 63
\issue 11
\pages 1678--1686
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784218110099}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5780
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i11/p1734
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:71
    PDF полного текста:35
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024