Неравномерная упругая деформация и мемристорный эффект в ориентированных углеродных нанотрубках

Представлены результаты моделирования упругой деформации ориентированной углеродной нанотрубки под действием локального внешнего электрического поля. Разработана методика формирования контролируемой неравномерной упругой деформации в вертикально ориентированной углеродной нанотрубке, которая является необходимым условием для проявления воспроизводимого мемристорного эффекта в нанотрубке. Проведены экспериментальные исследования токопрохождения в упруго деформированных углеродных нанотрубках с аспектным отношением от 20 до 30. Показано, что увеличение значения относительной деформации нанотрубки от 0.02 до 0.07% вызывает увеличение ее сопротивления в высокоомном состоянии в 5.2 раза за счет роста внутреннего электрического поля, что приводит к усилению мемристорного эффекта в ней.