Влияние толщины слоя диоксида кремния на процесс электроформовки в открытых “сэндвич”-структурах TiN–SiO$_{2}$–W

На основе экспериментального исследования процесса электроформовки в открытых “сэндвич”-структурах TiN–SiO$_{2}$–W (с изолирующей щелью в виде торца пленки SiO$_{2}$ толщиной $d$ 10–30 nm, открытого в вакуум) показано, что напряжение образования частиц проводящей фазы (ЧПФ), т. е. начала электроформовки, практически не меняется с уменьшением $d$. Процесс электроформовки инициируется не напряженностью поля, а напряжением, пороговое значение которого находится около 8.5 V. Это значение значительно выше порогового напряжения образования ЧПФ при переключениях уже отформованных структур (3–4 V). Такой результат позволяет говорить о наличии двух разных процессов нетермической активации образования ЧПФ при электронном ударе. При электроформовке – это диссоциативное прилипание электрона, приводящее к удалению атомов кислорода в вакуум и тем самым – к повышению концентрации атомов кремния на поверхности изолирующей щели. При переключениях – это изменение молекулярного состояния кислорода (или водорода) на поверхности.