Особенности частотной зависимости вольт-фарадных характеристик полупроводниковой структуры фотоэлектрического преобразователя на основе $p$–$n$-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния

Проведены исследования частотной зависимости вольт-фарадных характеристик полупроводниковой структуры, содержащей антиотражающую пленку пористого кремния, сформированную электрохимическим травлением над $p$–$n$-переходом. Также исследованы спектры фотолюминесценции слоев пористого кремния экспериментальных образцов. Установлено, что характер вольт-фарадных характеристик определяется конкуренцией влияния емкости $p$–$n$-перехода и поверхностной структуры, возникающей в пленке пористого кремния вследствие неоднородности ее строения. Предложена модель строения слоев исследуемой полупроводниковой структуры и емкостная схема замещения.