Моделирование детектора видимого и ближнего инфракрасного электромагнитного излучения на искусственном алмазе

Разработан метод расчета вольт-амперной характеристики детектора электромагнитного излучения видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на искусственном алмазе при вертикальной геометрии протекания через него электрического тока. Метод применим в случае, когда длина свободного пробега носителей заряда в алмазе меньше масштаба изменения их концентрации. На основе этого метода определены зависимость тока от напряжения, а также распределения концентрации носителей заряда и электростатического потенциала для конкретного варианта такого фотодетектора, основанного на поликристаллической алмазной пленке, состоящей из монокристаллов нанометровых размеров, допированных бором.