Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2019, том 89, выпуск 2, страницы 252–257
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.02.47079.2493 (Mi jtf5698) 		 
Твердотельная электроника

Поверхностный тепловой интерфейс для мощных арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов

А. Б. Пашковский, И. В. Куликова, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, Н. К. Приступчик, Л. В. Манченко, В. Г. Калина, М. И. Лопин, А. Д. Закурдаев

Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.
PDF полного текста (415 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.02.47079.2493
Аннотация: Проведен теоретический анализ возможностей использования теплопроводящих покрытий для охлаждения мощных полевых транзисторов на основе гетероструктур с арсенид-галлиевой подложкой. При сохранении базовой технологии изготовления транзисторов и без дополнительных мер по уменьшению теплового сопротивления подложки введение дополнительного теплового интерфейса в виде диэлектрического теплопроводящего покрытия позволяет значительно уменьшить перегрев канала транзистора. В зависимости от толщины покрытия, конструкции транзистора и режима его работы перегрев канала может быть снижен в несколько раз.
Поступила в редакцию: 26.09.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2019, Volume 64, Issue 2, Pages 220–225
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219020154
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Б. Пашковский, И. В. Куликова, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, Н. К. Приступчик, Л. В. Манченко, В. Г. Калина, М. И. Лопин, А. Д. Закурдаев, “Поверхностный тепловой интерфейс для мощных арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов”, ЖТФ, 89:2 (2019), 252–257; Tech. Phys., 64:2 (2019), 220–225
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PasKulLap19}
\by А.~Б.~Пашковский, И.~В.~Куликова, В.~Г.~Лапин, В.~М.~Лукашин, Н.~К.~Приступчик, Л.~В.~Манченко, В.~Г.~Калина, М.~И.~Лопин, А.~Д.~Закурдаев
\paper Поверхностный тепловой интерфейс для мощных арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов
\jour ЖТФ
\yr 2019
\vol 89
\issue 2
\pages 252--257
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5698}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2019.02.47079.2493}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37479396}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2019
\vol 64
\issue 2
\pages 220--225
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784219020154}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5698
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i2/p252
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:48
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024