|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физическое материаловедение
Микроскопия поверхности кремния, имплантированного ионами серебра высокими дозами
В. В. Воробьевa, А. М. Роговa, Ю. Н. Осинa, В. И. Нуждинb, В. Ф. Валеевb, К. Б. Эйдельманc, Н. Ю. Табачковаc, М. А. Ермаковd, А. Л. Степановabe a Междисциплинарный центр "Аналитическая микроскопия", Казанский (Приволжский) федеральный университет
b Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского – обособленное структурное подразделение ФИЦ КазНЦ
РАН, Казань, Россия
c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
d Тихоокеанский государственный университет, г. Хабаровск
e Казанский национальный исследовательский технологический университет
Аннотация:
Проведена низкоэнергетическая имплантация ионами Ag$^{+}$ в монокристаллический $c$-Si с энергией $E$ = 30 keV при дозе облучения от 1.25 $\cdot$ 10$^{15}$ до 1.5 $\cdot$ 10$^{17}$ ion/cm$^{2}$ и плотности тока в ионном пучке от 2 до 15 $\mu$A/cm$^{2}$. C помощью сканирующей, просвечивающей электронной и атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности имплантированных образцов, а также проанализирована их структура методами дифракции отраженных электронов и элементного микроанализа. Показано, что при минимальных используемых дозах облучения $c$-Si происходит аморфизация его приповерхностного слоя. Установлено, что в результате ионной имплантации при превышении пороговой дозы $\sim$3.1 $\cdot$ 10$^{15}$ ion/cm$^{2}$ в облучаемом слое Si образуются наночастицы Ag, однородно распределенные по поверхности Si. При дозе более 10$^{17}$ ion/cm$^{2}$ наблюдается образование пористой структуры Si при этом, функция распределения наночастицы серебра по размерам становится бимодальной, и наиболее крупные частицы локализованы по стенкам Si-пор.
Поступила в редакцию: 09.04.2018
Образец цитирования:
В. В. Воробьев, А. М. Рогов, Ю. Н. Осин, В. И. Нуждин, В. Ф. Валеев, К. Б. Эйдельман, Н. Ю. Табачкова, М. А. Ермаков, А. Л. Степанов, “Микроскопия поверхности кремния, имплантированного ионами серебра высокими дозами”, ЖТФ, 89:2 (2019), 226–234; Tech. Phys., 64:2 (2019), 195–202
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5694 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i2/p226
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 11 |
|