Микроскопия поверхности кремния, имплантированного ионами серебра высокими дозами

Проведена низкоэнергетическая имплантация ионами Ag$^{+}$ в монокристаллический $c$-Si с энергией $E$ = 30 keV при дозе облучения от 1.25 $\cdot$ 10$^{15}$ до 1.5 $\cdot$ 10$^{17}$ ion/cm$^{2}$ и плотности тока в ионном пучке от 2 до 15 $\mu$A/cm$^{2}$. C помощью сканирующей, просвечивающей электронной и атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности имплантированных образцов, а также проанализирована их структура методами дифракции отраженных электронов и элементного микроанализа. Показано, что при минимальных используемых дозах облучения $c$-Si происходит аморфизация его приповерхностного слоя. Установлено, что в результате ионной имплантации при превышении пороговой дозы $\sim$3.1 $\cdot$ 10$^{15}$ ion/cm$^{2}$ в облучаемом слое Si образуются наночастицы Ag, однородно распределенные по поверхности Si. При дозе более 10$^{17}$ ion/cm$^{2}$ наблюдается образование пористой структуры Si при этом, функция распределения наночастицы серебра по размерам становится бимодальной, и наиболее крупные частицы локализованы по стенкам Si-пор.