|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Твердое тело
Гетероструктура SmS/SiC и термовольтаический эффект в ней
В. В. Каминскийa, А. О. Лебедевab, С. М. Соловьевa, Н. В. Шаренковаa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Изготовлена гетероструктура на основе монокристаллического SiC и поликристаллической тонкой пленки SmS. В температурном интервале от 300 до 456 K измерен термовольтаический эффект в структуре, максимальная величина которого достигала $\sim$12 mV при $T$ = 456 K. Показано, что величина эффекта соответствует разработанной ранее его концентрационной модели.
Поступила в редакцию: 31.05.2018
Образец цитирования:
В. В. Каминский, А. О. Лебедев, С. М. Соловьев, Н. В. Шаренкова, “Гетероструктура SmS/SiC и термовольтаический эффект в ней”, ЖТФ, 89:2 (2019), 212–213; Tech. Phys., 64:2 (2019), 181–182
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5691 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i2/p212
|
|