|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физическая электроника
Модель термического окисления кремния
А. В. Фадеевa, Ю. Н. Девяткоb a Физико-технологический институт РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
Аннотация:
Миниатюризация и увеличение скорости работы электронных приборов требует получения диэлектрических пленок оксида кремния нанометровой толщины. Для создания таких структур необходимо понимание процесса начального окисления кремния. Предложена теоретическая модель термического окисления тонких монослоев кремния, учитывающая рост напряжений в переходном слое оксид – подложка по мере накопления в нем кислорода.
Поступила в редакцию: 26.04.2018 Исправленный вариант: 28.09.2018
Образец цитирования:
А. В. Фадеев, Ю. Н. Девятко, “Модель термического окисления кремния”, ЖТФ, 89:4 (2019), 620–626; Tech. Phys., 64:4 (2019), 575–581
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5653 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i4/p620
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 60 | PDF полного текста: | 23 |
|