|
Твердотельная электроника
Инверсия типа проводимости тонких пленок $n$-InSe под действием лазерного излучения
А. Г. Кязым-задеa, В. М. Салмановa, А. Г. Гусейновa, Р. М. Мамедовa, З. А. Агамалиевa, А. А. Салмановаb, Ф. М. Ахмедоваa a Бакинский государственный университет
b Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности, г. Баку
Аннотация:
Инверсия типа электропроводности тонких пленок $n$-InSe осуществлена мощным импульсным лазерным излучением. $P$–$n$-структура на основе селенида индия образовывалась между облученным и необлученным участками тонкопленочного образца. Рентгеноструктурным анализом установлено, что после облучения лазерным излучением состав вещества не изменяется. Инверсия тока проводимости образца обусловлена изменением динамики поведения дефектов кристаллической решетки за счет нагрева.
Поступила в редакцию: 14.03.2018 Исправленный вариант: 10.05.2018
Образец цитирования:
А. Г. Кязым-заде, В. М. Салманов, А. Г. Гусейнов, Р. М. Мамедов, З. А. Агамалиев, А. А. Салманова, Ф. М. Ахмедова, “Инверсия типа проводимости тонких пленок $n$-InSe под действием лазерного излучения”, ЖТФ, 89:4 (2019), 599–602; Tech. Phys., 64:4 (2019), 555–558
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5649 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i4/p599
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 56 | PDF полного текста: | 10 |
|