Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2019, том 89, выпуск 4, страницы 599–602
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.04.47319.110-18 (Mi jtf5649) 		 
Твердотельная электроника

Инверсия типа проводимости тонких пленок $n$-InSe под действием лазерного излучения

А. Г. Кязым-задеa, В. М. Салмановa, А. Г. Гусейновa, Р. М. Мамедовa, З. А. Агамалиевa, А. А. Салмановаb, Ф. М. Ахмедоваa

a Бакинский государственный университет
b Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности, г. Баку
PDF полного текста (513 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.04.47319.110-18
Аннотация: Инверсия типа электропроводности тонких пленок $n$-InSe осуществлена мощным импульсным лазерным излучением. $P$–$n$-структура на основе селенида индия образовывалась между облученным и необлученным участками тонкопленочного образца. Рентгеноструктурным анализом установлено, что после облучения лазерным излучением состав вещества не изменяется. Инверсия тока проводимости образца обусловлена изменением динамики поведения дефектов кристаллической решетки за счет нагрева.
Поступила в редакцию: 14.03.2018
Исправленный вариант: 10.05.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2019, Volume 64, Issue 4, Pages 555–558
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219040145
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Г. Кязым-заде, В. М. Салманов, А. Г. Гусейнов, Р. М. Мамедов, З. А. Агамалиев, А. А. Салманова, Ф. М. Ахмедова, “Инверсия типа проводимости тонких пленок $n$-InSe под действием лазерного излучения”, ЖТФ, 89:4 (2019), 599–602; Tech. Phys., 64:4 (2019), 555–558
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KyaSalHus19}
\by А.~Г.~Кязым-заде, В.~М.~Салманов, А.~Г.~Гусейнов, Р.~М.~Мамедов, З.~А.~Агамалиев, А.~А.~Салманова, Ф.~М.~Ахмедова
\paper Инверсия типа проводимости тонких пленок $n$-InSe под действием лазерного излучения
\jour ЖТФ
\yr 2019
\vol 89
\issue 4
\pages 599--602
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5649}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2019.04.47319.110-18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37643958}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2019
\vol 64
\issue 4
\pages 555--558
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784219040145}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5649
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i4/p599
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024