Исследование критической температуры $T_{c}$ гомофазных сверхпроводников Bi$_{1.7}$Pb$_{0.3}$Sr$_{2}$Ca$_{(n-1)}$Cu$_{n}$ O$_{y}$ ($n$ = 3, 4, 5) и вольт-амперных характеристик сэндвич-пар полупроводник InP–сверхпроводник Bi/Pb (2223, 2234, 2245)

Исследованы электрофизические свойства сэндвич-пар “полупроводник–сверхпроводник” (InP–Bi/Pb 2223, 2234, 2245), в которых использованы гомофазные сверхпроводники на основе висмутовых купратов с высокими воспроизводимыми критическими температурами сверхпроводящего перехода $T_{c}$ = 107–180 K. Показано преимущество расплавной гелиотехнологии получения сверхпроводящих материалов. Исследованы микроструктура и фазовый состав сильно анизотропных сверхпроводников номиналов Bi$_{1.7}$Pb$_{0.3}$Sr$_{2}$Ca$_{(n-1)}$Cu$_{n}$ O$_{y}$ ($n$ = 3, 4, 5). Представлена методика экспериментального определения критических температур сверхпроводящего перехода $T_{c}$ в однофазных и гомофазных ВТСП-образцах. Изучены вольт-амперные характеристики пар InP–Bi/Pb. Определена связь между электросопротивлением сэндвич-пар и критической температурой $T_{c}$ сверхпроводника.