Механизмы токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с $n^{+}$–$p$-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего травления

Исследованы экспериментальные образцы фотоэлектрических преобразователей с $n^{+}$–$p$-переходом на основе монокристаллического кремния и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего химического травления в травителе HF:KMnO$_{4}$:C$_{2}$H$_{5}$OH. Показано, что при концентрациях окислителя KMnO$_{4}$ 0.025 и 0.040 M длительность роста пленки пористого кремния, при которой достигается наибольшая эффективность фотоэлектрического преобразователя, может быть существенно увеличена по сравнению с методом анодного электрохимического травления. Для исследования механизмов токопрохождения измерялась температурная зависимость прямых и обратных ветвей вольт-амперных характеристик. Обнаружено наличие нескольких механизмов токопрохождения. Установлено, что на процессы токопрохождения существенное влияние оказывают ловушки, с энергиями активации, распределенными в непрерывном диапазоне значений.