Исследование процессов зарядки ионно-имплантированных диэлектриков под воздействием электронного облучения

Исследована кинетика зарядки диэлектриков Al$_{2}$O$_{3}$ (сапфира) и SiO$_{2}$ ($\alpha$-кварца), подвергнутых предварительному облучению ионами инертного газа Ar$^{+}$, металла Ga$^{+}$ и протонами H$^{+}$. Обнаружена существенная разница в кинетике зарядки образцов в зависимости от природы облучающих ионов. Установлено, что предварительное воздействие на диэлектрическую мишень ионизирующего корпускулярного излучения (протонов, ионов) значительно изменяет зарядовые характеристики поверхности диэлектриков. Эти различия зависят также от энергии облучающих ионов, определяющих глубину аккумулируемого слоя отрицательного заряда в сравнении с глубиной предварительной имплантации ионов.