|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Фотоника
Исследования стабильности тонкопленочных структур Cu–As$_{2}$S$_{3}$ и Ag–As$_{2}$S$_{3}$
А. М. Настас Институт прикладной физики АН Молдовы, г. Кишинев
Аннотация:
Объектом исследования были тонкопленочные структуры Cu–As$_{2}$S$_{3}$ и Ag–As$_{2}$S$_{3}$, полученные методом последовательного термического испарения Cu (Ag) и As$_{2}$S$_{3}$ в вакууме на стеклянные подложки. Образцы хранились в атмосфере воздуха при комнатной температуре в темноте в течение 6 месяцев. Периодически проводилось измерение спектров пропускания исследуемых структур. Логарифм обратного пропускания в области прозрачности As$_{2}$S$_{3}$ был использован в качестве меры, пропорциональной толщине металлической пленки. Установлено, что зависимость толщины металлических пленок от времени хранения изменяется по линейному закону для Ag–As$_{2}$S$_{3}$, а для Cu–As$_{2}$S$_{3}$ зависимость может быть аппроксимирована двумя различными линейными участками. На основании сравнения уменьшения толщины металлического слоя выявлено, что структура Ag–As$_{2}$S$_{3}$ значительно более стабильна, чем структура Cu–As$_{2}$S$_{3}$. Сделано предположение, что при хранении в темноте исследуемых структур серебро в отличие от меди практически не взаимодействует с As$_{2}$S$_{3}$, хотя его диффузия в пленку As$_{2}$S$_{3}$ при хранении происходит непрерывно.
Ключевые слова:
халькогенидный стеклообразный полупроводник, тонкопленочные структуры, спектры пропускания, фотодиффузия.
Поступила в редакцию: 01.03.2018 Исправленный вариант: 01.03.2018 Принята в печать: 11.03.2019
Образец цитирования:
А. М. Настас, “Исследования стабильности тонкопленочных структур Cu–As$_{2}$S$_{3}$ и Ag–As$_{2}$S$_{3}$”, ЖТФ, 89:8 (2019), 1254–1258; Tech. Phys., 64:8 (2019), 1184–1188
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5545 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i8/p1254
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 42 | PDF полного текста: | 17 |
|