|
Физика низкоразмерных структур
Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb
Р. В. Левинa, Б. В. Пушныйa, И. В. Федоровab, А. А. Усиковаa, В. Н. Неведомскийa, Н. Л. Баженовa, К. Д. Мынбаевab, Н. В. Павловa, Г. Г. Зегряa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Исследованы возможности метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (МОСГФЭ) для изготовления структур с тонкими (1–2 nm) чередующимися слоями InAs/GaSb на подложке GaSb. Свойства структур были изучены методами просвечивающей электронной микроскопии и фото- и электролюминесценции. Было установлено, что при использованных условиях роста в активной области структур происходило формирование двух твердых растворов GaInAsSb различных составов. Для полученной системы было характерным излучение на длине волны 4.96 $\mu$m при температуре 77 K. Результаты работы демонстрируют новые возможности метода МОСГФЭ для инженерии запрещенной зоны полупроводниковых структур на основе InAs/GaSb, предназначенных для создания приборов оптоэлектроники, работающих в инфракрасном диапазоне длин волн.
Ключевые слова:
узкозонные полупроводники A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$, напряженные сверхрешетки, МОСГФЭ, электролюминесценция.
Поступила в редакцию: 29.11.2018 Исправленный вариант: 29.11.2018 Принята в печать: 10.04.2019
Образец цитирования:
Р. В. Левин, Б. В. Пушный, И. В. Федоров, А. А. Усикова, В. Н. Неведомский, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, “Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1592–1597; Tech. Phys., 64:10 (2019), 1509–1514
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5499 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i10/p1592
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 23 |
|