Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb

Исследованы возможности метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (МОСГФЭ) для изготовления структур с тонкими (1–2 nm) чередующимися слоями InAs/GaSb на подложке GaSb. Свойства структур были изучены методами просвечивающей электронной микроскопии и фото- и электролюминесценции. Было установлено, что при использованных условиях роста в активной области структур происходило формирование двух твердых растворов GaInAsSb различных составов. Для полученной системы было характерным излучение на длине волны 4.96 $\mu$m при температуре 77 K. Результаты работы демонстрируют новые возможности метода МОСГФЭ для инженерии запрещенной зоны полупроводниковых структур на основе InAs/GaSb, предназначенных для создания приборов оптоэлектроники, работающих в инфракрасном диапазоне длин волн.