Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2019, том 89, выпуск 11, страницы 1732–1735
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.11.48336.122-19 (Mi jtf5466) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

XXIII Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.

Туннельные магниторезистивные элементы для датчиков магнитного поля

И. Ю. Пашенькинa, М. В. Сапожниковab, Н. С. Гусевa, В. В. Роговa, Д. А. Татарскийab, А. А. Фраерманa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (229 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.11.48336.122-19
Аннотация: Отработана технология изготовления цепочек туннельных магниторезистивных (ТМР) элементов CoFe/Al$_{2}$O$_{3}$/NiFe с пиннингом на антиферромагнитном слое IrMn. Исследована зависимость формы кривых магнетосопротивления от геометрических параметров латерально ограниченных ТМР-контактов, а также от взаимной ориентации внешнего магнитного поля и оси однонаправленной анизотропии закрепленного слоя CoFe. Сопротивление цепочек составляло от нескольких десятков k$\Omega$ до сотен M$\Omega$ в зависимости от толщины туннельно-прозрачного слоя диэлектрика при величине магниторезистивного эффекта 10–15%. Отработанная технология может быть использована для изготовления туннельных датчиков магнитного поля.
Ключевые слова: туннельные магниторезистивные контакты, однонаправленная анизотропия, магнетронное распыление, оптическая литография, ионное травление.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00247
Российский научный фонд 16-12-10340
Отработка технологии изготовления туннельных магниторезистивных структур и исследование их магнитных свойств было выполнено при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект 18-02-00247), исследование транспортных и магнитоэлектрических свойств цепочек туннельных контактов выполнено при поддержке Российского научного фонда (проект 16-12-10340).
Поступила в редакцию: 28.03.2019
Исправленный вариант: 28.03.2019
Принята в печать: 15.04.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2019, Volume 64, Issue 11, Pages 1642–1645
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219110227
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Ю. Пашенькин, М. В. Сапожников, Н. С. Гусев, В. В. Рогов, Д. А. Татарский, А. А. Фраерман, “Туннельные магниторезистивные элементы для датчиков магнитного поля”, ЖТФ, 89:11 (2019), 1732–1735; Tech. Phys., 64:11 (2019), 1642–1645
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PasSapGus19}
\by И.~Ю.~Пашенькин, М.~В.~Сапожников, Н.~С.~Гусев, В.~В.~Рогов, Д.~А.~Татарский, А.~А.~Фраерман
\paper Туннельные магниторезистивные элементы для датчиков магнитного поля
\jour ЖТФ
\yr 2019
\vol 89
\issue 11
\pages 1732--1735
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5466}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2019.11.48336.122-19}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41300866}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2019
\vol 64
\issue 11
\pages 1642--1645
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784219110227}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5466
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i11/p1732
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:69
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024