Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2019, том 89, выпуск 11, страницы 1692–1698
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.11.48330.119-19 (Mi jtf5460) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XXIII Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.

Применение сканирующей емкостной силовой микроскопии для выявления примесных фаз в сегнетоэлектрике триглицинсульфат

Р. В. Гайнутдиновa, А. Л. Толстихинаa, А. К. Лашковаa, Н. В. Белугинаa, В. Н. Шутb, С. Е. Мозжаровb, И. Ф. Кашевичbc

a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
b Институт технической акустики НАН Беларуси, г. Витебск
c Витебский государственный университет им. П. М. Машерова
PDF полного текста (1306 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.11.48330.119-19
Аннотация: Представлены результаты исследования неоднородного сегнетоэлектрика – монокристалла триглицинсульфата с ростовой периодической примесной структурой TGS-TGS+Cr методом сканирующей емкостной силовой микроскопии (СЕСМ). Рассмотрены особенности отображения вариаций емкости при детектировании электростатической силы на удвоенной и утроенной резонансной частоте. Проведены измерения пьезоотклика, поверхностного потенциала и топографии поверхности. Показано, что емкостной контраст формируется как на доменных границах, так и на полосах TGS и TGS+Cr. Продемонстрировано, что СЕСМ на удвоенной резонансной частоте электростатической силы позволяет наблюдать пространственное распределение примеси в сегнетоэлектрической структуре при разнице в концентрации хрома на уровне $\sim$0.02–0.08 mass.%.
Ключевые слова: сканирующая емкостная микроскопия, сегнетоэлектрики, кристалл триглицинсульфата, примесь хрома.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования в рамках выполнения работ по Государственному заданию ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН.
Поступила в редакцию: 28.03.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2019, Volume 64, Issue 11, Pages 1602–1608
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219110094
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина, А. К. Лашкова, Н. В. Белугина, В. Н. Шут, С. Е. Мозжаров, И. Ф. Кашевич, “Применение сканирующей емкостной силовой микроскопии для выявления примесных фаз в сегнетоэлектрике триглицинсульфат”, ЖТФ, 89:11 (2019), 1692–1698; Tech. Phys., 64:11 (2019), 1602–1608
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GaiTolLas19}
\by Р.~В.~Гайнутдинов, А.~Л.~Толстихина, А.~К.~Лашкова, Н.~В.~Белугина, В.~Н.~Шут, С.~Е.~Мозжаров, И.~Ф.~Кашевич
\paper Применение сканирующей емкостной силовой микроскопии для выявления примесных фаз в сегнетоэлектрике триглицинсульфат
\jour ЖТФ
\yr 2019
\vol 89
\issue 11
\pages 1692--1698
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5460}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2019.11.48330.119-19}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41300860}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2019
\vol 64
\issue 11
\pages 1602--1608
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784219110094}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5460
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i11/p1692
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024