Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2019, том 89, выпуск 12, страницы 1971–1977
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.12.48498.230-18
(Mi jtf5446)
 

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Физическая электроника

Влияние электронного строения примеси на физические свойства, дефектную структуру и особенности технологии легирования кристаллов ниобата лития

О. В. Макарова, М. Н. Палатников, И. В. Бирюкова, Н. В. Сидоров

Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И. В. Тананаева, Кольский научный центр РАН, Апатиты, Россия
Аннотация: Исследованы макро- и микроструктура легированных кристаллов LiNbO$_{3}$, изучены спектры пропускания и определены эффективные коэффициенты распределения примеси. Анализ литературных данных по диаграммам состояния тройных систем Li$_{2}$O–Nb$_{2}$O$_{5}$-оксид примеси и электронным конфигурациям легирующих элементов дал возможность прогнозирования технологических условий выращивания и качества легированных кристаллов ниобата лития. При этом $p$-элементы (бор) позволяет выращивать без вхождения примеси в кристалл структурно и композиционно однородные кристаллы LiNbO$_{3}$. Металлы – $s$- и $d$-элементы (магний и цинк) сходно влияют на расплав и свойства кристаллов LiNbO$_{3}$, формируя при этом непериодические доменные структуры и схожие типы точечных дефектов. Металлы $f$-элементов (церий) благодаря своему электронному строению организуют структуру расплава таким образом, что это делает возможным формирование ростовой регулярной доменной структуры в кристаллах LiNbO$_{3}$.
Ключевые слова: кристаллы, ниобат лития, легирование, электронное строение примеси, дефектная структура, технология кристаллов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0226-IC-2018-0004
Российский фонд фундаментальных исследований 18-03-00231-а
Работа была поддержана Министерством науки и высшего образования Российской Федерации (научная тема № 0226-IC-2018-0004, регистрационный номер АААА-А18-118022190125-2) и РФФИ (грант № 18-03-00231-а).
Поступила в редакцию: 09.06.2018
Исправленный вариант: 25.12.2018
Принята в печать: 10.04.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2019, Volume 64, Issue 12, Pages 1872–1878
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219120168
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Макарова, М. Н. Палатников, И. В. Бирюкова, Н. В. Сидоров, “Влияние электронного строения примеси на физические свойства, дефектную структуру и особенности технологии легирования кристаллов ниобата лития”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1971–1977; Tech. Phys., 64:12 (2019), 1872–1878
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MakPalBir19}
\by О.~В.~Макарова, М.~Н.~Палатников, И.~В.~Бирюкова, Н.~В.~Сидоров
\paper Влияние электронного строения примеси на физические свойства, дефектную структуру и особенности технологии легирования кристаллов ниобата лития
\jour ЖТФ
\yr 2019
\vol 89
\issue 12
\pages 1971--1977
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5446}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2019.12.48498.230-18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848249}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2019
\vol 64
\issue 12
\pages 1872--1878
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784219120168}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5446
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i12/p1971
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024