|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физическое материаловедение
Адаптация золь-гель технологии наноструктурированного оксида цинка для целей гибкой электроники
И. А. Аверинa, И. А. Пронинab, Н. Д. Якушоваa, А. А. Кармановa, Е. А. Алимоваc, С. Е. Игошинаa, В. А. Мошниковb, Е. И. Теруковbd a Пензенский государственный университет
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c АО "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов", Пенза, Россия
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Проанализирована возможность замены классической для золь-гель методов операции высокотемпературного отжига операцией фотоотжига с использованием излучения ультрафиолетового диапазона длин волн. Предложена методика синтеза иерархически организованных пленок оксида цинка в рамках золь-гель технологии, основанная на параллельном совмещении низкотемпературной обработки и УФ-фотоотжига. Проведены спектроскопические исследования качественного состава пленкообразующего золя и наноматериалов на его основе, полученных на различных типах подложек, до и после инициации фотохимических реакций.
Ключевые слова:
оксид цинка, фотоотжиг, золь-гель технология, гибкая электроника.
Поступила в редакцию: 04.06.2019 Исправленный вариант: 04.06.2019 Принята в печать: 10.06.2019
Образец цитирования:
И. А. Аверин, И. А. Пронин, Н. Д. Якушова, А. А. Карманов, Е. А. Алимова, С. Е. Игошина, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Адаптация золь-гель технологии наноструктурированного оксида цинка для целей гибкой электроники”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1917–1922; Tech. Phys., 64:12 (2019), 1821–1826
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5440 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i12/p1917
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 13 |
|