Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2019, том 89, выпуск 12, страницы 1917–1922
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.12.48492.227-19
(Mi jtf5440)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физическое материаловедение

Адаптация золь-гель технологии наноструктурированного оксида цинка для целей гибкой электроники

И. А. Аверинa, И. А. Пронинab, Н. Д. Якушоваa, А. А. Кармановa, Е. А. Алимоваc, С. Е. Игошинаa, В. А. Мошниковb, Е. И. Теруковbd

a Пензенский государственный университет
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c АО "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов", Пенза, Россия
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Проанализирована возможность замены классической для золь-гель методов операции высокотемпературного отжига операцией фотоотжига с использованием излучения ультрафиолетового диапазона длин волн. Предложена методика синтеза иерархически организованных пленок оксида цинка в рамках золь-гель технологии, основанная на параллельном совмещении низкотемпературной обработки и УФ-фотоотжига. Проведены спектроскопические исследования качественного состава пленкообразующего золя и наноматериалов на его основе, полученных на различных типах подложек, до и после инициации фотохимических реакций.
Ключевые слова: оксид цинка, фотоотжиг, золь-гель технология, гибкая электроника.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 16.897.2017/ПЧ
СП-3800.2018.1
Российский фонд фундаментальных исследований 19-08-00924
Работа выполнялась при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (проект № 16.897.2017/ПЧ), РФФИ в рамках научного проекта № 19-08-00924, а также стипендии президента РФ (СП-3800.2018.1).
Поступила в редакцию: 04.06.2019
Исправленный вариант: 04.06.2019
Принята в печать: 10.06.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2019, Volume 64, Issue 12, Pages 1821–1826
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219120028
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Аверин, И. А. Пронин, Н. Д. Якушова, А. А. Карманов, Е. А. Алимова, С. Е. Игошина, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Адаптация золь-гель технологии наноструктурированного оксида цинка для целей гибкой электроники”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1917–1922; Tech. Phys., 64:12 (2019), 1821–1826
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AveProYak19}
\by И.~А.~Аверин, И.~А.~Пронин, Н.~Д.~Якушова, А.~А.~Карманов, Е.~А.~Алимова, С.~Е.~Игошина, В.~А.~Мошников, Е.~И.~Теруков
\paper Адаптация золь-гель технологии наноструктурированного оксида цинка для целей гибкой электроники
\jour ЖТФ
\yr 2019
\vol 89
\issue 12
\pages 1917--1922
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5440}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2019.12.48492.227-19}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848240}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2019
\vol 64
\issue 12
\pages 1821--1826
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784219120028}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5440
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i12/p1917
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:49
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024