Некоторые особенности конденсации атомов кремния на поверхности монокристалла вольфрама

С помощью методов полевой эмиссионной микроскопии изучена конденсация Si на поверхности W при различных температурах подложки $T$ и количествах $n$ моноатомных слоев осажденного конденсата. При низких $T\sim$ 600 K на поверхности формируется низкотемпературный монослой Si со структурой чистого W, тогда как при $T\ge$ 1000 K формируется другая структура высокотемпературного монослоя или поверхностного силицида. Низкотемпературный монослой и поверхностный силицид различаются также и ориентирующим действием при наращивании слоев Si. В случае конденсации на низкотемпературный монослой собственные кристаллиты Si формируются уже начиная с третьего монослоя $n\ge$ 3, тогда как при конденсации на поверхностный силицид рост кристаллитов Si происходит начиная с $n\ge$ 300 монослоев. Определены величины энергий активации Q$_{\operatorname{dif}}$ объемной диффузии Si в объем W и энергии десорбции Q$_{\operatorname{des}}$ атомов Si с поверхности W.