Фотоэлектрические свойства монокристаллов MnGaInS$_{4}$

Исследовано спектральное распределение фотопроводимости и температурная зависимость фототока монокристаллов MnGaInS$_{4}$. На спектре фотопроводимости выявлена собственная и примесная фотопроводимости. Область длин волн 0.640–0.760 $\mu$m проявляется при недостатке марганца в кристаллах и обусловлена акцепторным дефектом. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны в монокристаллах MnGaInS$_{4}$ связана с электрон-фононным взаимодействием. В исследуемых температурах рост фототока связан с термическим опустошением уровней прилипания. Рассчитана энергия активации уровней прилипания.