Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2020, том 90, выпуск 4, страницы 678–685
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.04.49095.311-19 (Mi jtf5345) 		 
Твердотельная электроника

Образование множественных сбоев в изделиях электроники под действием протонов и нейтронов

Н. А. Ивановa, О. В. Лобановa, В. В. Пашукa, М. О. Прыгуновb, К. Г. Сизоваc

a Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская обл., Россия
b ООО "Радиоавтоматика", г. Москва
c ООО НПЦ "Гранат", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (409 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.04.49095.311-19
Аннотация: Проведено облучение нуклонами на пучках синхроциклотрона Петербургского института ядерной физики (ПИЯФ) интегральных схем памяти типа SRAM с технологической нормой 90 nm и оптоэлектронных изделий: CCD- и CMOS-матриц. Представлены данные по сечениям образования сбоев в интегральных схемах памяти под действием протонов с энергией 1000 MeV и пикселей с большой величиной темнового тока (спайков) в оптоэлектронных изделиях, облученных протонами с энергией 1000 MeV, и нейтронами с энергетическим спектром, подобным спектру атмосферных нейтронов. Основное внимание уделено исследованию возникновения кластеров спайков и множественных сбоев. Установлено, что основная часть спайков и одиночных сбоев находится в составе кластеров.
Ключевые слова: спайки, кластеры, множественные сбои, протоны, нейтроны, интегральные схемы, память, оптоэлектронные изделия.
Поступила в редакцию: 04.09.2019
Исправленный вариант: 04.09.2019
Принята в печать: 14.10.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2020, Volume 65, Issue 4, Pages 652–659
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378422004009X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Иванов, О. В. Лобанов, В. В. Пашук, М. О. Прыгунов, К. Г. Сизова, “Образование множественных сбоев в изделиях электроники под действием протонов и нейтронов”, ЖТФ, 90:4 (2020), 678–685; Tech. Phys., 65:4 (2020), 652–659
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IvaLobPas20}
\by Н.~А.~Иванов, О.~В.~Лобанов, В.~В.~Пашук, М.~О.~Прыгунов, К.~Г.~Сизова
\paper Образование множественных сбоев в изделиях электроники под действием протонов и нейтронов
\jour ЖТФ
\yr 2020
\vol 90
\issue 4
\pages 678--685
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5345}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2020.04.49095.311-19}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776817}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2020
\vol 65
\issue 4
\pages 652--659
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378422004009X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5345
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i4/p678
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024