Фотоэлектрические поля и особенности вторичной структуры номинально чистых кристаллов ниобата лития, выращенных из шихты, легированной бором

Показано, что применение для выращивания номинально чистых кристаллов ниобата лития расплава, структурированного неметаллическим элементом бором, позволяет регулировать особенности вторичной структуры, оптическую однородность, величины фотоэлектрических полей и ширину запрещенной зоны. По характеристикам фотоиндуцированного рассеяния света определены напряженности фотовольтаического и диффузионного полей в номинально чистых кристаллах LiNbO$_{3}$:В. Показано, что величина диффузионного поля, определяющая концентрацию мелких электронных ловушек, для кристаллов LiNbO$_{3}$:В имеет промежуточное значение между кристаллами конгруэнтного и стехиометрического составов и зависит от концентрации бора в шихте. При этом ширина запрещенной зоны в кристаллах LiNbO$_{3}$:В соответствует значению для стехиометрического кристалла, но оптическая однородность кристаллов LiNbO$_{3}$:В близка к оптической однородности конгруэнтного кристалла, концентрация ОН-групп в кристаллах LiNbO$_{3}$:В меньше, а их расположение в структуре более упорядочено, чем в конгруэнтном кристалле.