Об особенностях электронного транспорта в наноустройстве на основе молекулы, содержащей окислительно-восстановительный центр нитроамина

В рамках теории функционала плотности в приближении локальной плотности и метода неравновесных гриновских функций (DFT + NEGF) исследован электронный транспорт в наноустройстве, состоящем из молекулы 2'-amino-4-ethynylphenyl-4'-ethynylphenyl-5'-nitro-1-benzenethiol, помещенного между электродами из золота. Рассчитаны вольт-амперные, $dI/dV$-характеристики, спектр пропускания и электронная плотность наноустройства. Показано, что вольт-амперная характеристика рассматриваемого наноустройства в интервале напряжений -0.8–0.9 V приобретает $N$-образную форму, и на ней появляется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленный резонансным туннелированием квазичастиц. Эти же изменения наблюдаются и на $dI/dV$-характеристике. Полученные результаты могут быть полезными для расчетов новых перспективных электронных переключательных устройств.