Влияние толщины пленки Pt на изменение текстуры и доли кристаллической фазы при ее отжиге

Текстурированные пленки Pt с толщиной 20 – 80 nm, нанесенные методом магнетронного распыления на окисленную пластину $c$-Si(100), подвергались отжигу в вакууме в режиме 500$^\circ$C/60 min. С помощью методов рентгеноструктурного анализа найдены зависимости параметров кристаллической текстуры и доли кристаллической фазы от толщины для исходных пленок и пленок, подвергнутых отжигу. Для нахождения доли кристаллической фазы в текстурированных пленках предложена оригинальная методика, основанная на анализе кривых качания. Найдено, что для всех толщин отжиг привел к улучшению текстуры и увеличению доли кристаллической фазы тем большим, чем меньше толщина. Данный результат объяснен появлением в результате отжига крупных вторичных зерен, чья объемная доля растет с уменьшением толщины. Для исходных пленок Pt исследована неоднородность распределений параметров текстуры и доли кристаллической фазы по глубине пленки.