|
Твердое тело
Температурная зависимость эффективного поля магнитной анизотропии и ширины линии ферромагнитного резонанса поликристаллических сложнозамещенных гексагональных магнитноодноосных ферритов в диапазоне частот 25 – 67 GHz
С. В. Щербаковa, А. Г. Налогинa, В. Г. Костишинa, А. С. Семеновa, Н. Е. Адиатулинаa, А. А. Алексеевab, Е. А. Белоконьab, А. В. Тимофеевb, Д. Н. Читановb a Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
Аннотация:
В диапазоне частот 25 – 67 GHz изучены температурные изменения эффективного поля магнитной анизотропии и ширины линии ферромагнитного резонанса образцов изотропного и анизотропного гексаферрита SrFe$_{11.2}$Al$_{0.1}$Si$_{0.15}$Ca$_{0.15}$O$_{19}$ и анизотропного гексаферрита BaFe$_{10.4}$Al$_{1.4}$Si$_{0.15}$Mn$_{0.1}$O$_{19}$, полученных методом керамической технологии с прессованием сырых заготовок в магнитном поле напряженностью 10 kOe. Исследования проведены в диапазоне температур +25 – +85$^\circ$C. Установлено, что в указанном температурном диапазоне изменение магнитной анизотропии составляет 9.8 Oe/$^\circ$C для бариевого гексаферрита и 4.2 Oe/$^\circ$C для стронциевого гексаферрита, а изменение ширины линии ферромагнитного резонанса – 12.2 Oe/$^\circ$C для бариевого гексаферрита и 10 – 12.3 Oe/$^\circ$C для стронциевого гексаферрита.
Ключевые слова:
ферромагнитный резонанс, эффективное поле анизотропии, магнитная анизотропия, сложнозамещенные гексаферриты типа М.
Поступила в редакцию: 12.04.2019 Исправленный вариант: 22.11.2019 Принята в печать: 10.12.2019
Образец цитирования:
С. В. Щербаков, А. Г. Налогин, В. Г. Костишин, А. С. Семенов, Н. Е. Адиатулина, А. А. Алексеев, Е. А. Белоконь, А. В. Тимофеев, Д. Н. Читанов, “Температурная зависимость эффективного поля магнитной анизотропии и ширины линии ферромагнитного резонанса поликристаллических сложнозамещенных гексагональных магнитноодноосных ферритов в диапазоне частот 25 – 67 GHz”, ЖТФ, 90:5 (2020), 782–786; Tech. Phys., 65:5 (2020), 749–753
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5310 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i5/p782
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 50 | PDF полного текста: | 13 |
|