Температурная зависимость эффективного поля магнитной анизотропии и ширины линии ферромагнитного резонанса поликристаллических сложнозамещенных гексагональных магнитноодноосных ферритов в диапазоне частот 25 – 67 GHz

В диапазоне частот 25 – 67 GHz изучены температурные изменения эффективного поля магнитной анизотропии и ширины линии ферромагнитного резонанса образцов изотропного и анизотропного гексаферрита SrFe$_{11.2}$Al$_{0.1}$Si$_{0.15}$Ca$_{0.15}$O$_{19}$ и анизотропного гексаферрита BaFe$_{10.4}$Al$_{1.4}$Si$_{0.15}$Mn$_{0.1}$O$_{19}$, полученных методом керамической технологии с прессованием сырых заготовок в магнитном поле напряженностью 10 kOe. Исследования проведены в диапазоне температур +25 – +85$^\circ$C. Установлено, что в указанном температурном диапазоне изменение магнитной анизотропии составляет 9.8 Oe/$^\circ$C для бариевого гексаферрита и 4.2 Oe/$^\circ$C для стронциевого гексаферрита, а изменение ширины линии ферромагнитного резонанса – 12.2 Oe/$^\circ$C для бариевого гексаферрита и 10 – 12.3 Oe/$^\circ$C для стронциевого гексаферрита.