Распыление поверхности кремния при низкоэнергетической высокодозовой имплантации ионами серебра

Приведены результаты по впервые проведенным на практике наблюдениям распыления поверхности Si при имплантации ионами Ag$^{+}$ с энергией 30 keV в зависимости от дозы облучения $D$ в интервале от 2.5 $\cdot$ 10$^{16}$ до 1.5 $\cdot$ 10$^{17}$ ion/cm$^{2}$ при фиксированном значении плотности тока в ионном пучке $J$ = 8 $\mu$A/cm$^{2}$, а также при вариации $J$ = 2, 5, 8, 15 и 20 $\mu$A/cm$^{2}$ для постоянной величины $D$ = 1.5 $\cdot$ 10$^{17}$ ion/cm$^{2}$. В первом случае наблюдается монотонное увеличение толщины распыляемого слоя пористого Si (PSi) до 50 nm при максимальной $D$, при этом значение эффективного коэффициента распыления имплантированного слоя Ag : PSi составляет 1.6. Также установлено возрастание толщины распыленного слоя при повышении $J$.