|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Физическая электроника
Датчик слабого магнитного поля на основе азотно-вакансионных центров окраски в кристалле алмаза
А. К. Вершовский, А. К. Дмитриев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследован эффект магнитозависимого поглощения радиочастотного высокочастотного излучения, регистрируемого методом оптически детектируемого магнитного резонанса, и предложено его объяснение. Экспериментально исследован способ высокочастотного возбуждения оптически детектируемого магнитного резонанса в азотно-вакансионных центрах окраски в кристалле алмаза, обеспечивающий магнитометрическую чувствительность на уровне единиц nT в полосе 1 Hz в нулевых и слабых ($<$ 0.1 mT) магнитных полях. Способ не предполагает использования сверхвысокочастотных полей, что обусловливает его привлекательность для биологических и медицинских применений, в первую очередь – для задач инвазивной магнитоэнцефалографии.
Ключевые слова:
оптически детектируемый магнитный резонанс, азотно-вакансионный центр, квантовый магнитометр.
Поступила в редакцию: 06.03.2020 Исправленный вариант: 06.03.2020 Принята в печать: 06.03.2020
Образец цитирования:
А. К. Вершовский, А. К. Дмитриев, “Датчик слабого магнитного поля на основе азотно-вакансионных центров окраски в кристалле алмаза”, ЖТФ, 90:8 (2020), 1353–1358; Tech. Phys., 65:8 (2020), 1301–1306
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5238 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i8/p1353
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 71 | PDF полного текста: | 41 |
|