Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2020, том 90, выпуск 8, страницы 1353–1358
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.08.49547.73-20 (Mi jtf5238) 		 
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Физическая электроника

Датчик слабого магнитного поля на основе азотно-вакансионных центров окраски в кристалле алмаза

А. К. Вершовский, А. К. Дмитриев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (2013 kB) Список цитирования (8)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.08.49547.73-20
Аннотация: Исследован эффект магнитозависимого поглощения радиочастотного высокочастотного излучения, регистрируемого методом оптически детектируемого магнитного резонанса, и предложено его объяснение. Экспериментально исследован способ высокочастотного возбуждения оптически детектируемого магнитного резонанса в азотно-вакансионных центрах окраски в кристалле алмаза, обеспечивающий магнитометрическую чувствительность на уровне единиц nT в полосе 1 Hz в нулевых и слабых ($<$ 0.1 mT) магнитных полях. Способ не предполагает использования сверхвысокочастотных полей, что обусловливает его привлекательность для биологических и медицинских применений, в первую очередь – для задач инвазивной магнитоэнцефалографии.
Ключевые слова: оптически детектируемый магнитный резонанс, азотно-вакансионный центр, квантовый магнитометр.
Финансовая поддержка
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 19-29-10004.
Поступила в редакцию: 06.03.2020
Исправленный вариант: 06.03.2020
Принята в печать: 06.03.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2020, Volume 65, Issue 8, Pages 1301–1306
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784220080216
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. К. Вершовский, А. К. Дмитриев, “Датчик слабого магнитного поля на основе азотно-вакансионных центров окраски в кристалле алмаза”, ЖТФ, 90:8 (2020), 1353–1358; Tech. Phys., 65:8 (2020), 1301–1306
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VerDmi20}
\by А.~К.~Вершовский, А.~К.~Дмитриев
\paper Датчик слабого магнитного поля на основе азотно-вакансионных центров окраски в кристалле алмаза
\jour ЖТФ
\yr 2020
\vol 90
\issue 8
\pages 1353--1358
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5238}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2020.08.49547.73-20}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43870264}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2020
\vol 65
\issue 8
\pages 1301--1306
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784220080216}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5238
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i8/p1353
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:70
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024