|
Твердотельная электроника
Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, С. В. Сорокина, М. З. Шварц Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Представлен высокоэффективный фотоэлектрический модуль, оптимизированный для преобразования монохроматического излучения с длиной волны 809–850 nm. Модуль включает четыре фотопреобразователя общей площадью 16 cm$^{2}$, которые при работе с лазерным излучением мощностью более 1 W обеспечивают рабочее напряжение более 4 V. При разработке и создании AlGaAs/GaAs-структур для приемников-преобразователей излучения использовались метод эпитаксии из жидкой фазы и метод газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. При работе фотоэлектрического модуля в режиме равномерной облученности светоприемной поверхности эффективность преобразования мощного (6.2 W) лазерного излучения превысила 60%.
Ключевые слова:
фотоэлектрический преобразователь, лазерное излучение, AlGaAs/GaAs, модуль, эпитаксия.
Поступила в редакцию: 04.02.2020 Исправленный вариант: 17.03.2020 Принята в печать: 18.04.2020
Образец цитирования:
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, “Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения”, ЖТФ, 90:10 (2020), 1764–1768; Tech. Phys., 65:10 (2020), 1690–1694
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5192 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i10/p1764
|
|