Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2020, том 90, выпуск 10, страницы 1621–1627
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.10.49790.398-19
(Mi jtf5171)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

III Международная конференция Физика -- наукам о жизни
Физические методы в агро- и генетико-селекционных технологиях

Предпосевная обработка семян озимой пшеницы поверхностным разрядом

А. В. Лазукинab, С. В. Гундареваb, И. А. Моралевbc, С. А. Кривовb

a Институт физиологии растений им. К. А. Тимирязева РАН, Москва, Россия
b Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
c Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва
Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования действия продуктов поверхностного разряда на семена мягкой озимой пшеницы в электродных конфигурациях, состоящих из параллельных полос с расстоянием между полосами 5 и 10 mm. В каждой из систем семена экспонировались 10, 60, 120 или 180 s при напряжениях 1.8, 2.1, 2.4 или 2.7 kV при питании электродов синусоидальным напряжением частотой 4.4 kHz. Семена располагались в один слой на заземленной плоскости на расстоянии 10 mm от плоскости диэлектрического барьера. Результаты обработки оценивались по морфологическим характеристикам трехсуточных проростков. Методом трассерной визуализации частиц контролировалось распределение воздушных течений в промежутке. Показано, что режимы обработки разделяются на две принципиальные группы. Первая группа – когда воздушный поток достигает плоскость, на которой располагаются семена, вторая группа – когда воздушный поток не достигает ее. В первом случае (расстояние между полосами 10 mm, напряжение 2.4–2.7 kV при всех экспозициях) удается достичь режимов, стимулирующих прорастание. Всхожесть семян не изменялась и сохраняла высокие значения во всех рассмотренных режимах.
Ключевые слова: поверхностный барьерный разряд, предпосевная подготовка, озимая пшеница, ионный ветер, трассерная визуализация частиц.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 18-76-10019
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект № 18-76-10019).
Поступила в редакцию: 12.12.2019
Исправленный вариант: 12.12.2019
Принята в печать: 17.02.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2020, Volume 65, Issue 10, Pages 1551–1557
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784220100114
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Лазукин, С. В. Гундарева, И. А. Моралев, С. А. Кривов, “Предпосевная обработка семян озимой пшеницы поверхностным разрядом”, ЖТФ, 90:10 (2020), 1621–1627; Tech. Phys., 65:10 (2020), 1551–1557
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LazGunMor20}
\by А.~В.~Лазукин, С.~В.~Гундарева, И.~А.~Моралев, С.~А.~Кривов
\paper Предпосевная обработка семян озимой пшеницы поверхностным разрядом
\jour ЖТФ
\yr 2020
\vol 90
\issue 10
\pages 1621--1627
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5171}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2020.10.49790.398-19}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154113}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2020
\vol 65
\issue 10
\pages 1551--1557
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784220100114}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5171
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i10/p1621
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024