Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2020, том 90, выпуск 12, страницы 2139–2142
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.12.50133.129-20 (Mi jtf5137) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика низкоразмерных структур

Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы

А. Г. Гладышевa, А. В. Бабичевa, В. В. Андрюшкинa, Д. В. Денисовb, В. Н. Неведомскийc, Е. С. Колодезныйa, И. И. Новиковa, Л. Я. Карачинскийa, А. Ю. Егоровd

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Центр коллективного пользования "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях" на базе Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
d ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (609 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.12.50133.129-20
Аннотация: Предложен новый метод формирования трехмерных квантово-размерных островков InGaP(As), заключающийся в замещении фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Показано, что при замещении фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP формируются трехмерные островки, излучающие в спектральном диапазоне 0.95 – 0.97 $\mu$m при комнатной температуре. Оценочная плотность островков составила 1.3 $\cdot$ 10$^{10}$ cm$^{-2}$.
Ключевые слова: эпитаксия, квантовые точки, арсенид галлия, замещение фосфора, просвечивающая электронная микроскопия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 2019-1442
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской федерации, проект тематики научных исследований № 2019-1442.
Поступила в редакцию: 13.04.2020
Исправленный вариант: 12.05.2020
Принята в печать: 13.05.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2020, Volume 65, Issue 12, Pages 2047–2050
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784220120099
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, В. В. Андрюшкин, Д. В. Денисов, В. Н. Неведомский, Е. С. Колодезный, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, “Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы”, ЖТФ, 90:12 (2020), 2139–2142; Tech. Phys., 65:12 (2020), 2047–2050
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GlaBabAnd20}
\by А.~Г.~Гладышев, А.~В.~Бабичев, В.~В.~Андрюшкин, Д.~В.~Денисов, В.~Н.~Неведомский, Е.~С.~Колодезный, И.~И.~Новиков, Л.~Я.~Карачинский, А.~Ю.~Егоров
\paper Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
\jour ЖТФ
\yr 2020
\vol 90
\issue 12
\pages 2139--2142
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5137}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2020.12.50133.129-20}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44367668}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2020
\vol 65
\issue 12
\pages 2047--2050
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784220120099}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5137
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i12/p2139
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:64
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024