Резистивное переключение в структурах ITO/SiN$_{x}$/Si

Исследованы электрофизические свойства и эффект резистивного переключения мемристорной структуры ITO/SiN$_{x}$/Si. Пленка нитрида кремния толщиной $\sim$200 nm с изменяющимся по глубине соотношением Si/N нанесена методом химического осаждения из газовой фазы при низком давлении. Результаты исследования вольт-амперных характеристик структур ITO/SiN$_{x}$/Si-$p$ показали, что механизм проводимости в состоянии с высоким сопротивлением определяется свойствами нитридной пленки и описывается моделью Пула–Френкеля, учитывающей перескоковый характер движения электронов между ловушками. Изменение полярности приложенного к структуре напряжения приводит к разрушению проводящих каналов в нитридной пленке и переключению структуры в состояние с высоким сопротивлением. Для структуры ITO/SiNx/Si обнаружен эффект фотопереключения, что открывает новые возможности использования мемристоров в системах кремниевой оптоэлектроники.