|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Твердое тело
Теплопроводность и термоэдс соединений системы Cu–Ge–As–Se
О. П. Щетников, Н. В. Мельникова, А. Н. Бабушкин, В. М. Кисеев Институт естественных наук и математики, Уральский федеральный университет
Аннотация:
Проанализировано влияние температур (300–400 K) и концентраций на электропроводность, термоэдс и коэффициент теплопроводности кристаллических материалов на основе халькогенидов меди с общей формулой (GeSe)$_{1-x}$(CuAsSe$_{2}$)$_{x}$. Определены механизмы переноса тепла. Выявлена немонотонность температурной зависимости теплопроводности с аномалией при 358 K. Вычислена термоэлектрическая добротность $ZT$.
Ключевые слова:
термоэдс, коэффициент Зеебека, теплопроводность, электропроводность, термоэлектрическая добротность, термоэлектрические преобразователи, полупроводники, халькогениды меди.
Поступила в редакцию: 01.05.2020 Исправленный вариант: 11.07.2020 Принята в печать: 16.07.2020
Образец цитирования:
О. П. Щетников, Н. В. Мельникова, А. Н. Бабушкин, В. М. Кисеев, “Теплопроводность и термоэдс соединений системы Cu–Ge–As–Se”, ЖТФ, 91:1 (2021), 46–50; Tech. Phys., 66:1 (2021), 41–45
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5097 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v91/i1/p46
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 19 |
|