Исследование ультратонких сверхпроводящих пленок нитрида ниобия, полученных методом атомно-слоевого осаждения

Представлен способ осаждения ультратонких сверхпроводящих пленок NbN$_{x}$ методом атомно-слоевого осаждения, усиленного плазмой из металлорганического прекурсора и газовой смеси H$_{2}$/Ar, используемой в качестве реактанта. Полученные образцы характеризовались измерением удельного сопротивления, спектральной эллипсометрией, атомно-силовой микроскопией и измерениями сверхпроводящих характеристик. Определены оптимальные параметры соотношения газов H$_{2}$/Ar, при которых удельное сопротивление пленок NbN$_{x}$ минимально. Проведен сравнительный анализ удельного сопротивления полученных пленок NbN$_{x}$. Исследована зависимость температуры перехода в сверхпроводящее состояние от толщины пленки. Достигнута температура перехода в 13.7 K и критическая плотность тока 0.7 МА/сm$^{2}$. Высокая однородность пленки, прецизионный контроль толщины и температура осаждения 350$^\circ$C дают возможность использовать данные пленки в производстве полевых транзисторов и в функциональных устройствах различного назначения, например, болометрах на горячих электронах, детекторах на кинетической индуктивности и сверхпроводниковых однофотонных детекторах.