Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2021, том 91, выпуск 4, страницы 579–588
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.04.50620.286-20
(Mi jtf5032)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Плазма

Влияние вида функции распределения электронов в плазме и дисперсии по энергии электронного пучка на устойчивость низковольтного пучкового разряда

В. С. Сухомлиновa, Р. М. Матвеевa, А. С. Мустафаевb, В. А. Павловa, С. В. Гордеевa

a Санкт-Петербургский государственный университет
b Санкт-Петербургский государственный горный университет
Аннотация: B рамках кинетического подхода исследованы условия потери устойчивости низковольтного пучкового разряда в инертных газах в зависимости от температуры электронного пучка, дисперсии скорости электронов пучка в направлении оси разряда и вида функции распределения электронов по энергиям (ФРЭ). Рассмотрены режимы, когда межэлектродное расстояние порядка длины пробега электронов относительно упругих столкновений с атомами инертного газа. Показано, что температура пучка $T_{b}$, определяемая в низковольтном пучковом разряде температурой катода, не превосходящей 1500 K, и дисперсия энергии электронов пучка, которая в разряде этого типа может быть существенно больше величины $kT_{b}$, и достигает 1–2 eV, слабо влияют на условия потери устойчивости и величину инкремента усиления возмущений на частотах вплоть до плазменной. Обнаружено, что вид ФРЭ, монотонно падающей с увеличением энергии электронов, также не влияет на параметры распространяющихся в низковольтном пучковом разряде возмущений при энергии пучка много больше средней энергии электронов в плазме. Полученные результаты применимы не только к разряду этого типа, но и другим видам самостоятельных пучковых разрядов.
Ключевые слова: низковольтный пучковый разряд, плазменные неустойчивости, системы электронный пучок-плазма, функция распределения электронов.
Поступила в редакцию: 09.10.2020
Исправленный вариант: 09.11.2020
Принята в печать: 10.11.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2021, Volume 66, Issue 12, Pages 1301–1310
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784221040198
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. С. Сухомлинов, Р. М. Матвеев, А. С. Мустафаев, В. А. Павлов, С. В. Гордеев, “Влияние вида функции распределения электронов в плазме и дисперсии по энергии электронного пучка на устойчивость низковольтного пучкового разряда”, ЖТФ, 91:4 (2021), 579–588; Tech. Phys., 66:12 (2021), 1301–1310
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SykMatMus21}
\by В.~С.~Сухомлинов, Р.~М.~Матвеев, А.~С.~Мустафаев, В.~А.~Павлов, С.~В.~Гордеев
\paper Влияние вида функции распределения электронов в плазме и дисперсии по энергии электронного пучка на устойчивость низковольтного пучкового разряда
\jour ЖТФ
\yr 2021
\vol 91
\issue 4
\pages 579--588
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5032}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2021.04.50620.286-20}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46465963}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2021
\vol 66
\issue 12
\pages 1301--1310
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784221040198}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85126796104}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5032
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v91/i4/p579
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024