Фотолюминесценция низкоразмерных композитных структур полиметилметакрилат/(Zn,Cd,Mn,Eu)S

Реализована коллоидная технология синтеза и легирования низкоразмерных структур на основе сульфидов цинка и кадмия непосредственно в среде акрилового мономера в процессе получения оптически прозрачных композиций полиметилметакрилат/(Zn,Cd,Mn,Eu)S. Показано, что фотолюминесценция композиций связана с системой уровней дефектов структуры частиц полупроводника, расположенных в его запрещенной зоне, формирующихся при последовательном легировании слоев ZnS и CdS ионами Mn$^{2+}$ и Eu$^{3+}$, и с внутризонными $^{5}$D$_{0}\to{}^{7}F_{1,2,4}$ переходами 4$f$-электронов ионов Eu$^{3+}$. Возбуждение фотолюминесценции происходит в результате перехода электронов из валентной зоны полупроводника на уровни дефектов его структуры и частичного переноса энергии на возбужденные уровни энергии ионов Eu$^{3+}$.