Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2021, том 91, выпуск 6, страницы 1040–1044
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.06.50876.326-20 (Mi jtf5002) 		 
Физическая электроника

Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In

Д. В. Ищенкоa, А. Н. Акимовa, И. О. Ахундовa, В. А. Голяшовab, А. Э. Климовac, А. Б. Логиновd, Б. А. Логиновe, Н. С. Пащинa, А. С. Тарасовa, Е. В. Федосенкоa, В. Н. Шерcтяковаa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Новосибирский государственный технический университет
d Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
e Национальный исследовательский университет Московский институт электронной техники, Зеленоград, Москва, Россия
PDF полного текста (639 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.06.50876.326-20
Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии исследована топология поверхности эпитаксиальных пленок твердого раствора теллурида свинца и олова, в том числе с добавлением индия (Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te:In), выращенных на монокристаллических подложках BaF$_{2}$(111) и буферном слое CaF$_{2}$/BaF$_{2}$ на Si(111). Показано, что характерные статистические показатели рельефа обусловлены особенностями роста пленки и механизмом встраивания индия, избыточное содержание которого зарегистрировано на поверхности ex situ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.
Ключевые слова: топологический изолятор, поверхность, твердый раствор, A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$, теллурид свинца и олова.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-02-00324
Работа выполнена при частичной поддержке гранта РФФИ № 20-02-00324.
Поступила в редакцию: 27.11.2020
Исправленный вариант: 19.01.2021
Принята в печать: 21.01.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2021, Volume 66, Issue 7, Pages 878–882
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784221060086
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. В. Ищенко, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, А. Э. Климов, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Н. С. Пащин, А. С. Тарасов, Е. В. Федосенко, В. Н. Шерcтякова, “Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In”, ЖТФ, 91:6 (2021), 1040–1044; Tech. Phys., 66:7 (2021), 878–882
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IshAkiAkh21}
\by Д.~В.~Ищенко, А.~Н.~Акимов, И.~О.~Ахундов, В.~А.~Голяшов, А.~Э.~Климов, А.~Б.~Логинов, Б.~А.~Логинов, Н.~С.~Пащин, А.~С.~Тарасов, Е.~В.~Федосенко, В.~Н.~Шерcтякова
\paper Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In
\jour ЖТФ
\yr 2021
\vol 91
\issue 6
\pages 1040--1044
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5002}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2021.06.50876.326-20}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46468648}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2021
\vol 66
\issue 7
\pages 878--882
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784221060086}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85124420292}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5002
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v91/i6/p1040
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024