Аннотация:
Результаты работы количественно и качественно освещают процессы релаксации напряжений несоответствия, возникающих при эпитаксии кубического карбида кремния на кремнии. Проведен анализ распределений механических напряжений в гетероструктурах 3CC–SiC/Si и 3CC–SiC/porpor-Si. Показана существенная роль пористого буферного слоя в уменьшении величины напряжений несоответствия. Данные теоретического исследования подтверждены экспериментальными значениями остаточных напряжений в образцах 3CC–SiC/Si и 3CC–SiC/porpor-Si.
Образец цитирования:
А. С. Гусев, Н. И. Каргин, С. М. Рындя, Г. К. Сафаралиев, Н. В. Сигловая, М. О. Смирнова, И. О. Соломатин, А. О. Султанов, А. А. Тимофеев, “Релаксация механических напряжений в эпитаксиальных пленках кубического карбида кремния на кремниевых подложках с буферным пористым слоем”, ЖТФ, 91:6 (2021), 988–996; Tech. Phys., 66:7 (2021), 869–877